Rendimiento listo para una nueva era. Maximiza el rendimiento de PCIe® 5.0. La 9100 PRO alcanza velocidades de lectura/escritura secuencial ultrarrápidas de hasta 14 800/13 400 MB/s, el doble de rápidas que la 990 PRO. Supera las limitaciones de Gen4 con velocidades de lectura/escritura aleatorias de hasta 2200 000/2600 000 IOPS, solo posibles con Gen5.
DISCO DURO SSD SAMSUNG 1TB 9100 PRO M2 2280 NVME PCIE 5.0
Rendimiento listo para una nueva era. Maximiza el rendimiento de PCIe® 5.0. La 9100 PRO alcanza velocidades de lectura/escritura secuencial ultrarrápidas de hasta 14 800/13 400 MB/s, el doble de rápidas que la 990 PRO. Supera las limitaciones de Gen4 con velocidades de lectura/escritura aleatorias de hasta 2200 000/2600 000 IOPS, solo posibles con Gen5.
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Características:
- Cada tarea, potentemente paralela
- Supere los límites de productividad. Las emocionantes velocidades de lectura/escritura aleatorias permiten el procesamiento paralelo ultrarrápido de innumerables datos fragmentados, con hasta 2200 000/2600 000 IOPS.
- Experimente un rendimiento superior y cargas instantáneas para juegos de gran envergadura, tareas de alto rendimiento e incluso aplicaciones de IA.
- Lectura aleatoria hasta 2200 000 IOPS, Escritura aleatoria hasta 2600 000 IOPS
- Crea con IA al instante.
- La inteligencia redefine el rendimiento. Supera tus límites en el trabajo y el ocio con una PC con IA integrada y la generación de contenido con IA, impulsada por las emocionantes velocidades de lectura/escritura aleatoria del 9100 PRO de hasta 2200 000/2600 000 IOPS.
- Cargas rápidas, juego fluido, rendimiento impecable.
- Lectura aleatoria hasta 2200 000 IOPS, Escritura aleatoria hasta 2600 000 IOPS
- * El rendimiento puede variar según el firmware del SSD, el hardware y la configuración del sistema, y otros factores.
- Excepcional en todas partes.
- Aumenta tu ventaja competitiva. Edita videos, crea arte en 3D e incluso largas sesiones de streaming con fluidez. Las últimas interfaces PCIe® 5.0.
- Experimente un rendimiento de vanguardia en cualquier momento, lugar y dispositivo, y elija el almacenamiento que necesita con una capacidad expansiva de hasta 8 TB.
- Iconos de 1 TB, 2 TB, 4 TB y 8 TB
- * La disponibilidad puede variar según el mercado y el momento.
- Eficiencia térmica extraordinaria
- Máximo rendimiento sin interrupciones. La avanzada arquitectura de potencia del controlador de 5 nm mejora la eficiencia energética hasta un 49 % con respecto al 990 PRO.
- El excepcional control térmico garantiza que nada interrumpa su flujo de trabajo, para que pueda mantener los programas más exigentes funcionando con la máxima potencia posible de PCIe® 5.0.
- Controlador recubierto de níquel, chips V-NAND, DRAM y etiqueta del disipador de calor
- * Imagen solo con fines ilustrativos.
- * Lectura/escritura secuencial 990 PRO: 1221/1255 MB/s por vatio; lectura/escritura secuencial 9100 PRO: 1822/1703 MB/s por vatio, según el resultado de la prueba interna del modelo de 2 TB.
- Software Samsung Magician
- Haga que su SSD funcione a la perfección. Las herramientas de optimización del software Samsung Magician garantizan el mejor rendimiento del SSD.
- Es una forma segura y sencilla de migrar todos sus datos para actualizar su SSD Samsung. Proteja sus datos valiosos, supervise el estado de la unidad y obtenga las últimas actualizaciones de firmware.
- Estado de la SSD, migración de datos y funciones de actualización de firmware
- Innovaciones que cobran vida
- Durante décadas, la memoria flash NAND de Samsung ha impulsado tecnologías revolucionarias que han transformado nuestra vida diaria.
- Esta tecnología flash NAND también impulsa nuestros SSD de consumo, dejando espacio para el próximo gran impulso de innovación.
Especificaciones Samsung 9100 PRO:
- Características
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- SDD, capacidad: 1 TB
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- Interfaz: PCI Express 5.0
- NVMe: Si
- Tipo de memoria: V-NAND TLC
- Componente para: PC/ordenador portátil
- Encriptación de hardware: Si
- Velocidad de lectura: 14700 MB/s
- Velocidad de escritura: 13300 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB): 1850000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
- Soporte S.M.A.R.T.: Si
- Soporte TRIM: Si
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
- Control de energía
- Voltaje de operación: 3,3 V
- Consumo eléctrico promedio (lectura): 7,6 W
- Consumo eléctrico promedio (escritura): 7,2 W
- Peso y dimensiones
- Ancho: 80,2 mm
- Profundidad: 2,38 mm
- Altura: 22,1 mm
- Peso: 9 g
- Empaquetado
- Tipo de embalaje: Caja
- Condiciones ambientales
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
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