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DISCO DURO SSD SAMSUNG 1TB 9100 PRO M2 2280 NVME PCIE 5.0

231,77 €
Impuestos incluidos
Rendimiento listo para una nueva era. Maximiza el rendimiento de PCIe® 5.0. La 9100 PRO alcanza velocidades de lectura/escritura secuencial ultrarrápidas de hasta 14 800/13 400 MB/s, el doble de rápidas que la 990 PRO. Supera las limitaciones de Gen4 con velocidades de lectura/escritura aleatorias de hasta 2200 000/2600 000 IOPS, solo posibles con Gen5.
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Características:

  • Cada tarea, potentemente paralela
    • Supere los límites de productividad. Las emocionantes velocidades de lectura/escritura aleatorias permiten el procesamiento paralelo ultrarrápido de innumerables datos fragmentados, con hasta 2200 000/2600 000 IOPS.
    • Experimente un rendimiento superior y cargas instantáneas para juegos de gran envergadura, tareas de alto rendimiento e incluso aplicaciones de IA.
    • Lectura aleatoria hasta 2200 000 IOPS, Escritura aleatoria hasta 2600 000 IOPS
  • Crea con IA al instante.
    • La inteligencia redefine el rendimiento. Supera tus límites en el trabajo y el ocio con una PC con IA integrada y la generación de contenido con IA, impulsada por las emocionantes velocidades de lectura/escritura aleatoria del 9100 PRO de hasta 2200 000/2600 000 IOPS.
    • Cargas rápidas, juego fluido, rendimiento impecable.
    • Lectura aleatoria hasta 2200 000 IOPS, Escritura aleatoria hasta 2600 000 IOPS
    • * El rendimiento puede variar según el firmware del SSD, el hardware y la configuración del sistema, y otros factores.
  • Excepcional en todas partes.
    • Aumenta tu ventaja competitiva. Edita videos, crea arte en 3D e incluso largas sesiones de streaming con fluidez. Las últimas interfaces PCIe® 5.0.
    • Experimente un rendimiento de vanguardia en cualquier momento, lugar y dispositivo, y elija el almacenamiento que necesita con una capacidad expansiva de hasta 8 TB.
    • Iconos de 1 TB, 2 TB, 4 TB y 8 TB
    • * La disponibilidad puede variar según el mercado y el momento.
  • Eficiencia térmica extraordinaria
    • Máximo rendimiento sin interrupciones. La avanzada arquitectura de potencia del controlador de 5 nm mejora la eficiencia energética hasta un 49 % con respecto al 990 PRO.
    • El excepcional control térmico garantiza que nada interrumpa su flujo de trabajo, para que pueda mantener los programas más exigentes funcionando con la máxima potencia posible de PCIe® 5.0.
    • Controlador recubierto de níquel, chips V-NAND, DRAM y etiqueta del disipador de calor
    • * Imagen solo con fines ilustrativos.
    • * Lectura/escritura secuencial 990 PRO: 1221/1255 MB/s por vatio; lectura/escritura secuencial 9100 PRO: 1822/1703 MB/s por vatio, según el resultado de la prueba interna del modelo de 2 TB.
  • Software Samsung Magician
    • Haga que su SSD funcione a la perfección. Las herramientas de optimización del software Samsung Magician garantizan el mejor rendimiento del SSD.
    • Es una forma segura y sencilla de migrar todos sus datos para actualizar su SSD Samsung. Proteja sus datos valiosos, supervise el estado de la unidad y obtenga las últimas actualizaciones de firmware.
    • Estado de la SSD, migración de datos y funciones de actualización de firmware
  • Innovaciones que cobran vida
    • Durante décadas, la memoria flash NAND de Samsung ha impulsado tecnologías revolucionarias que han transformado nuestra vida diaria.
    • Esta tecnología flash NAND también impulsa nuestros SSD de consumo, dejando espacio para el próximo gran impulso de innovación.

Especificaciones Samsung 9100 PRO:

  • Características
    • Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
    • SDD, capacidad: 1 TB
    • Factor de forma de disco SSD: M.2
    • Interfaz: PCI Express 5.0
    • NVMe: Si
    • Tipo de memoria: V-NAND TLC
    • Componente para: PC/ordenador portátil
    • Encriptación de hardware: Si
    • Velocidad de lectura: 14700 MB/s
    • Velocidad de escritura: 13300 MB/s
    • Lectura aleatoria (4KB): 1850000 IOPS
    • Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
    • Soporte S.M.A.R.T.: Si
    • Soporte TRIM: Si
    • Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
  • Control de energía
    • Voltaje de operación: 3,3 V
    • Consumo eléctrico promedio (lectura): 7,6 W
    • Consumo eléctrico promedio (escritura): 7,2 W
  • Peso y dimensiones
    • Ancho: 80,2 mm
    • Profundidad: 2,38 mm
    • Altura: 22,1 mm
    • Peso: 9 g
  • Empaquetado
    • Tipo de embalaje: Caja
  • Condiciones ambientales
    • Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
    • Golpes en funcionamiento: 1500 G
MZ-VAP1T0BW
2026-03-26

Ficha de datos

Formato
M.2
Capacidad
1000
2000
Almacenamiento
SSD

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